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浏览/检索结果: 共38条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth simulations of self-assembled nanowires on stepped substrates 期刊论文 Ieee journal of selected topics in quantum electronics, 2011, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 960-965 作者:  Liang, Song;  Kong, Duanhua;  Zhu, Hongliang;  Wang, Wei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Kinetic monte carlo (kmc) simulations  Self-assembled nanowires  Stepped substrates   Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Chen, Weibing;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of ultra-low al alloying in(al) as layer on the formation and evolution of inas/gaas quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 6 作者:  Zhou, X. L.;  Chen, Y. H.;  Li, T. F.;  Zhou, G. Y.;  Zhang, H. Y. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Vls growth of siox nanowires with a stepwise nonuniformity in diameter 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: 5 作者:  Huang, Shengli;  Wu, Yan;  Zhu, Xianfang;  Li, Lunxiong;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705 Liu GP; Wu J; Lu YW; Li ZW; Song YF; Li CM; Yang SY; Liu XL; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/02/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  INTERFACE ROUGHNESS  QUANTUM-WELLS  MOBILITY  HETEROJUNCTION  TRANSPORT  MODEL   Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：63/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism 期刊论文 solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459 Wu H; Gan HD; Zheng HZ; Lu J; Zhu H; Ji Y; Li GR; Zhao JH 收藏  |  浏览/下载：64/5  |  提交时间：2011/07/05 Magnetic semiconductors  Molecular beam epitaxy  Magneto-optical effects  TRANSPORT-PROPERTIES  SEMICONDUCTOR  (GA,CR)AS   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst 期刊论文 nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05 CdSe  nanowires  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS  LIQUID-SOLID MECHANISM  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON NANOWIRES  SI NANOWIRES  ZNSE NANOWIRES  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  STRUCTURAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH