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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：暨南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Facile Room Temperature Routes to Improve Performance of IGZO Thin-Film Transistors by an Ultrathin Al2O3 Passivation Layer 期刊论文 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 537 作者:  Ning, Honglong[1];  Zeng, Yong[1];  Zheng, Zeke[1];  Zhang, Hongke[1];  Fang, Zhiqiang[1] 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/10 Low-temperature fabrication of sputtered high- k HfO2gate dielectric for flexible a-IGZO thin film transistors 期刊论文 2018, 卷号: 112, 期号: 10 作者:  Yao, Rihui[1];  Zheng, Zeke[1];  Xiong, Mei[1,2];  Zhang, Xiaochen[1];  Li, Xiaoqing[1] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/13 Effect of ITO Serving as a Barrier Layer for Cu Electrodes on Performance of a-IGZO TFT 期刊论文 2018, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 504 作者:  Hu, Shiben[1];  Lu, Kuankuan[1];  Ning, Honglong[1];  Fang, Zhiqiang[2];  Liu, Xianzhe[1] 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/06 High-performance flexible oxide TFTs: optimization of a-IGZO film by modulating the voltage waveform of pulse DC magnetron sputtering without post treatment 期刊论文 2018, 卷号: 6, 期号: 10, 页码: 2522 作者:  Yao, Rihui[1];  Zheng, Zeke[1];  Fang, Zhiqiang[1];  Zhang, Hongke[1];  Zhang, Xiaochen[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/06 Low-temperature fabrication of sputtered high-k HfO2 gate dielectric for flexible a-IGZO thin film transistors 期刊论文 2018, 卷号: 112, 期号: 10 作者:  Yao, Rihui[1];  Zheng, Zeke[1];  Xiong, Mei[1,2];  Zhang, Xiaochen[1];  Li, Xiaoqing[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/06 All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process 期刊论文 2017, 卷号: 5, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 7043 作者:  Zheng, Zeke[1];  Zeng, Yong[1];  Yao, Rihui[1];  Fang, Zhiqiang[1];  Zhang, Hongke[1] 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/03