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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Triangular nanoperforation and band engineering of InGaAs quantum wells: a lithographic route toward Dirac cones in III-V semiconductors 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30 作者:  Post, L. C.[1];  Xu, T.[2];  Vergei, N. A. Franchina[3];  Tadjine, A.[4];  Lambert, Y.[5] 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/04/22 InGaAs quantum well  honeycomb semiconductor  dirac cone  electron beam lithography  band structure engineering  lattice disorder