QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires 期刊论文 advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937 Han XB; Kou LZ; Lang XL; Xia JB; Wang N; Qin R; Lu J; Xu J; Liao ZM; Zhang XZ; Shan XD; Song XF; Gao JY; Guo WL; Yu DP 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/04 QUANTUM WIRES  SI SUBSTRATE  STRAIN  ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA   Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708 Zhuang QD; Li JM; Li HX; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  INFRARED-ABSORPTION  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  WELL  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  LASERS  INP   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES