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科研机构
湖南大学 [3]
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2017 [4]
1990 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1−xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy
期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: 17, 页码: 622−630
作者:
Lixia Li
;
Dong Pan
;
Yongzhou Xue
;
Xiaolei Wang
;
Miaoling Lin
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/07/02
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy
期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630
作者:
Li, L.
;
Pan, D.
;
Xue, Y.
;
Wang, X.
;
Lin, M.
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
bandgap
tuning
GaAs1−xSbx
molecular-beam
epitaxy
nanowires
rectifying
behavior
self-catalyzed
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy
期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630
作者:
Lixia Li
;
Dong Pan
;
Yongzhou Xue
;
Xiaolei Wang
;
Miaoling Lin
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/31
GaAs1−xSbx
nanowires
bandgap tuning
self-catalyzed
molecular-beam epitaxy
rectifying behavior
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1-xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy
期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630
作者:
Li, LX
;
Pan, D
;
Xue, YZ
;
Wang, XL
;
Lin, ML
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/31
bandgap tuning
GaAs1−xSbx
molecular-beam epitaxy
nanowires
rectifying behavior
self-catalyzed
MBE生长的GaAs1—xSbx/GaAs系中缺陷的研究
期刊论文
电子显微学报, 1990, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 193
范缇文
;
阎春辉
;
郑海群
;
孔梅影
;
田连地
;
周玉清
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提交时间:2010/11/23
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