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浏览/检索结果: 共421条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1-MeV electron irradiation effects on InGaAsP/InGaAs double-junction solar cell and its component subcells 期刊论文 SCIENCE CHINA-INFORMATION SCIENCES, 2017 作者:  Zhao, Xiaofan;  Heini, Maliya;  Sailai, Momin;  Aierken, Abuduwayiti;  Guo, Qi 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05 The influence of Sb content and dots size of InAs/GaAs(1-x)Sbx quantum dot on type I-type II band alignment and carrier dynamics 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017 作者:  Li, Yaqian;  Ji, Lian;  Lu, Shulong（陆书龙）;  Ding, Chao;  Zhou, Jianqiu 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/02/06 Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four junction solar cell grown by MBE 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2017 作者:  Dai, Pan（代盼）;  Ji, Lian（季莲）;  Tan, Ming（谭明）;  Uchida, Shiro;  Wu, Yuanyuan（吴源源） 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/02/05 Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017 作者:  Liang, Feng;  Zhao, De-Gang;  Jiang, De-Sheng;  Liu, Zong-Shun;  Zhu, Jian-Jun 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2018/02/05 Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes 期刊论文 IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017 作者:  Yang, Jing;  Zhao, Degang;  Jiang, Desheng;  Chen, Ping;  Zhu, Jianjun 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05 Unintentional gallium incorporation in InGaN layers during epitaxial growth 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017 作者:  Zhou, Kun;  Ren, Huaijin;  Ikeda, Masao;  Liu, Jianping(刘建平);  Ma, Yi 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/06 Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017 作者:  Li, Xiang;  Zhao, De-Gang;  Jiang, De-Sheng;  Yang, Jing;  Chen, Ping 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/02/05 Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2017 作者:  Liu, S. T.;  Yang, J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Liang, F. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/02/05 Performance of InGaN based green laser diodes improved by using an asymmetric InGaN/InGaN multi-quantum well active region 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2017 作者:  Yang, J.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, X.;  Liang, F. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05 Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p(++) -GaN layer 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017 作者:  Liang, Feng;  Zhao, Degang;  Jiang, Desheng;  Liu, Zongshun;  Zhu, Jianjun 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2018/02/05