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High-Temperature-Recessed Millimeter-Wave AlGaN/GaN HEMTs With 42.8% Power-Added-Efficiency at 35 GHz 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Zheng YK(郑英奎);  Liu GG(刘果果);  Chen XJ(陈晓娟);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/19
A Full W-band Low Noise Amplifier Module for Millimeter-Wave applications 期刊论文
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Liu XY(刘新宇);  Jin Z(金智);  Ning XX(宁晓曦);  Su YB(苏永波);  Ding P(丁芃)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/26
Improvement of breakdown characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a U-type gate foot for millimeter-wave power application 期刊论文
Chinese Physics B, 2012
作者:  Wei K(魏珂);  Liu XY(刘新宇);  Kong X(孔欣)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/11/01
一种新型的砷化镓平面肖特基变容管大信号模型 期刊论文
半导体学报, 2011
作者:  董军荣
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/11/14
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26
200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 外文期刊
2008
作者:  Xu, JB;  Zhang, HY;  Wang, WX;  Liu, L;  Li, M
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26
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