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学科主题:Physics, Multidisciplinary
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High resolution electron bombareded complementary metal oxide semiconductor sensor for ultraviolet detection
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 1
作者:
Liu Hu-Lin
;
Wang Xing
;
Tian Jin-Shou
;
Sai Xiao-Feng
;
Wei Yong-Lin
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2018/12/11
Complementary Metal Oxide Semiconductor
Electron Bombareded Gain
Low Light Level Imaging
Uv Detection
Effects of spacer layers on magnetic properties and exchange couplings of Nd-Fe-B/Nd-Ce-Fe-B multilayer films
期刊论文
IOP PUBLISHING LTD, 2017, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: -
作者:
Sun, Ya-Chao
;
Zhu, Ming-Gang
;
Liu, Wei
;
Han, Rui
;
Zhang, Wen-Chen
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/01/10
Permanent Magnets
Multilayer Films
Spacer Layer
Irreversible
Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 108101-108101
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Xia, MJ
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Yao, DN
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
FILMS
Enhanced Performance of Phase Change Memory Cell Element by Initial Operation and Non-Cumulative Programming
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 107302-107302
Chen, YF
;
Song, ZT
;
Chen, XG
;
Liu, B
;
Xu, C
;
Feng, GM
;
Wang, LY
;
Zhong, M
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
ELECTRODE
FILM
Reactive ion etching as cleaning method post chemical mechanical polishing for phase change memory device
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 762-764
Zhong, M
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CELL-ELEMENT
BEAM METHOD
A 0.18-mu m 3.3V 16k bits 1R1T phase change random access memory (PCRAM) chip
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3815-3817
Ding, S
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Zhu, M
;
Chen, XG
;
Chen, YF
;
Shen, J
;
Fu, C
;
Feng, SL
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/03/24
ELECTRODE
FILM
Switching characteristics of phase change memory cell integrated with metal-oxide semiconductor field effect transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1848-1849
Xu, C
;
Liu, B
;
Chen, YF
;
Liang, S
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Wan, XD
;
Yang, ZY
;
Xie, J
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
GE2SB2TE5 FILM
Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
RESISTANCE MEASUREMENTS
ELECTRICAL-PROPERTIES
GE2SB2TE5 FILM
TE GLASSES
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
BEHAVIOR
Damascene array structure of phase change memory fabricated with chemical mechanical polishing method
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2296-2298
Liu, QB
;
Song, ZT
;
Zhang, KL
;
Wang, LY
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2012/03/24
ION-BEAM METHOD
CELL-ELEMENT
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