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| 氮化镓的分布式布拉格反射镜及谐振腔的制备方法 专利
专利号: CN109950792A, 申请日期: 2019-06-28, 公开日期: 2019-06-28
作者: 张跃进; 黄德昌; 李波; 展爱云; 胡勇
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| 铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109920861A, 申请日期: 2019-06-21, 公开日期: 2019-06-21
作者: 芦鹏飞; 王凯林; 陆瑾; 张凡; 张丽
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| 调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 专利
专利号: CN105932543B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者: 吴瑞华
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| 铟镓氮铋材料和使用该材料的激光器和探测器及制备方法 专利
专利号: CN109449223A, 申请日期: 2019-03-08, 公开日期: 2019-03-08
作者: 芦鹏飞; 张凡; 梁丹; 王庶民; 张丽
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| 含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件 专利
专利号: CN107910388A, 申请日期: 2018-04-13, 公开日期: 2018-04-13
作者: 王庶民; 芦鹏飞; 梁丹; 张立瑶
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| 溶胶-凝胶法制备异质外延c轴取向GaN薄膜研究 学位论文
2018
作者: 完彦少君
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| 一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868472A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者: 王文杰; 龙衡; 李俊泽; 李沫; 张健
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| 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器 专利
专利号: CN106868596A, 申请日期: 2017-06-20, 公开日期: 2017-06-20
作者: 王文杰; 李俊泽; 龙衡; 李沫; 张健
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| 一种GaN复合衬底制备方法 专利
专利号: CN105719946A, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2016-06-29
作者: 甘志银; 刘胜; 严晗; 汪沛; 吕强
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| 一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 王庶民
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