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浏览/检索结果: 共101条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 期刊论文 journal of the korean physical society, 2003, 卷号: 42, 期号: 0, 页码: s713-s718 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 SOI  nanostructure  microelectronic materials   A study of the growth and optical properties of AlInGaN alloys 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2632-2637 Huang JS; Dong X; Lu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：265/14  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  MOCVD  localized exitons  quantum dots  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  GAN   半导体纳米材料和物理 期刊论文 物理, 2003, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 693-699 夏建白 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Lasing of CdSSe quantum dots in glass spherical microcavity 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 17, 期号: 1-4, 页码: 453-455 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 spherical microcavity  quantum dots  lasing   Alloy states in dilute GaAs1-xNx alloys (x < 1%) 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 11, 页码: 1697-1699 Luo XD; Huang JS; Xu ZY; Yang CL; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND-GAP REDUCTION  GAASN  EXCITONS   Photon-storage in optical memory cells based on a semiconductor quantum dot-quantum well hybrid structure 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 1362-1365 Bian SB; Tang Y; Li GR; Li YX; Yang FH; Zheng HZ; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 CHARGE   Resonant tunneling theory of planar quantum dot structures 期刊论文 physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: art.no.075310 Xia JB; Li SS 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 WAVE-GUIDES  SPECTROSCOPY  CONDUCTANCE  TRANSPORT  RINGS   Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 1478-1481 作者:  Li CM 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer 期刊论文 chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063 Fang ZD; Gong Z; Miao ZH; Xu XH; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  LASERS  WAVELENGTH  SEPARATION  LINEWIDTH  PROPERTY  GAIN   Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330 Lu LW; Yang CL; Wang J; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TRANSIENT SPECTROSCOPY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  PHOTOLUMINESCENCE  WELL  EPILAYERS  SURFACE