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浏览/检索结果: 共111条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长 期刊论文 北京航空航天大学学报, 2003, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 753-758 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb 期刊论文 chinese science bulletin, 2003, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 516-518 Chen NF; Zhang FQ; Yang JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Wang ZG; Hu WR; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 MnxGa1-xSb  ferromagnetic semiconductor  diluted magnetic semiconductors  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  GAMNAS   纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7 马宝珊; 方再利; 苏付海; 丁琨; 韩和相; 李国华; Mark lamy de la Chapelle; 范守善 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：289/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Effects of the sulfur pressure on pyrite FeS2 films prepared by sulfurizing thermally iron films 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 286-292 Wan DY; Wang BY; Wang YT; Sun H; Zhang RG; Wei L 收藏  |  浏览/下载：327/6  |  提交时间：2010/08/12 crystallization  sulfidation  iron pyrite films  semiconducting materials  solar cells  THIN-FILMS  ATMOSPHERE   GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究 期刊论文 物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 罗向东; 边历峰; 徐仲英; 罗海林; 王玉琦; 王建农; 葛惟琨 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 通过倾斜多晶硅p-n结光电器件提高光电转换性能 期刊论文 光电子技术, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 221-223 李建明; 种明; 衡扬; 徐嘉东 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 602-605 胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：206/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE