QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共108条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oscillating magnetoresistance in diluted magnetic semiconductor barrier structures 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: art.no.115209 Chang K; Xia JB; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：203/41  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRICAL SPIN INJECTION  ZNSE/ZN1-XMNXSE HETEROSTRUCTURE  POLARIZED TRANSPORT  QUANTUM-WELLS  SCATTERING  INTERFACE  DEVICE   Content analyses in GaMnAs by double-crystal X-ray diffraction 期刊论文 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 274-275 Chen NF; Xiu HX; Yang JL; Wu JL; Zhong XR; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：96/12  |  提交时间：2010/08/12 GaMnAs  diluted magnetic semiconductor  X-ray diffraction  lattice parameter  content of Mn  SEMICONDUCTOR   量子通信与量子计算 期刊论文 半导体技术, 2002, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 8-9 张庆秀; 郭孝尧; 孙宝权; 李树深 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrogen vacancy scattering  GaN  mobility  MOCVD  N-TYPE GAN  NITRIDE  FILMS   Electronic structure of diluted magnetic semiconductor superlattices: In-plane magnetic field effect 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 19, 页码: art.no.195204 Wu HB; Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  BAND OFFSETS  TRANSITION  EXCITONS  BEHAVIOR  CD1-XMNXTE  EXCHANGE  SYSTEM   An investigation on the pressure-induced phase transition of nanocrystalline ZnS 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 44, 页码: 10487-10490 Pan YW; Qu SC; Dong SS; Cui QL; Zhang WW; Liu XZ; Liu J; Liu BB; Gao CX; Zou GT 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 ZINC-SULFIDE  TRANSFORMATIONS  DEPENDENCE   Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4271-4274 Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES   Occupation modulation of higher subbands in a three-barrier tunnelling structure with a magnetic field 期刊论文 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1509-1512 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  POPULATION-INVERSION  TUNNELING STRUCTURE  ELECTRON  EMISSION  LASER   Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 期刊论文 chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495 Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 polycrystalline silicon film  rapid thermal processing  microstructure  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS-SILICON  PRESSURE  TRANSISTORS  CRYSTALLIZATION  GROWTH