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浏览/检索结果: 共107条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evolution of height distribution of Ge islands on Si(1 0 0) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 617-620 Liu JP; Gong Q; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 Ge islands  Ge films  bimodal distribution  Ehrlich-Schwoebel barriers  SI(001)  HETEROEPITAXIAL GROWTH   生长温度对长波长InP/AlGaInAs/InP材料LP-MOCVD生长的影响 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1054 作者:  王圩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 期刊论文 发光学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 7 作者:  江德生 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 半导体致冷恒温浴槽 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 733, 期号: 0 作者:  王俊;  王俊 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs/Al_xGa_（1-x）As和Al_xGa_（1-x）As/AlAs超晶格的喇曼散射对比研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 189 张旺; 韩和相; 陈晔; 李国华; 汪兆平 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 New annealing processes and explanation for novel silicon pn junctions formed by proton implantation 期刊论文 electronics letters, 1999, 卷号: 35, 期号: 4, 页码: 342-343 Li JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 LATCH-UP  WAFERS  LAYER   分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 58 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 大电流（直流）冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 667, 期号: 0 卢励吾; 张砚华; Ge Weikun; Ho W Y; Surya Charles; Tongc K Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响 期刊论文 红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 423 作者:  王海龙;  王晓东 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Quasi-Thermodynamic Model for MOVPE of AlGaN 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1026 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23