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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Erratum: Room-temperature ferromagnetism of vanadium-doped 6H-SiC (Chemical Physics Letters (2010) 496 (56)) 期刊论文 2010, 卷号: 500, 页码: 355 作者:  Lin, Shenghuang;  Chen, Zhiming;  Liang, Peng;  Jiang, Dong;  Xie, Huajie 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 A technique for diameter enlargement in SiC crystal growth 期刊论文 2010, 卷号: 101, 页码: 1514-1518 作者:  Lin, Shenghuang;  Chen, Zhiming;  Jiang, Dong;  Liang, Peng;  Wan, Jun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 SiC  Diameter  Diameter enlargement  Platform  PVT   The correlation of the results of capacitance mapping and of sheet resistance mapping in semi-insulating 6H-SiC 期刊论文 2010, 卷号: 489, 页码: 56-58 作者:  Lin, Shenghuang;  Chen, Zhiming;  Liang, Peng;  Jiang, Dong;  Xie, Huajie 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 Semi-insulating (SI) SiC  Sheet resistance  surface capacitance  Mapping  Vanadium   Room-temperature ferromagnetism of vanadium-doped 6H-SiC 期刊论文 2010, 卷号: 496, 页码: 56-58 作者:  Lin, Shenghuang;  Chen, Zhiming;  Liang, Peng;  Jiang, Dong;  Xie, Huajie 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 Room-temperature ferromagnetism of vanadium-doped 6H-SiC (vol 496, pg 56, 2010) 期刊论文 2010, 卷号: 500, 页码: 355-355 作者:  Lin, Shenghuang;  Chen, Zhiming;  Liang, Peng;  Jiang, Dong;  Xie, Huajie 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20