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内容类型
期刊论文 [6]
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2017 [6]
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发表日期:2017
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All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process
期刊论文
2017, 卷号: 5, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 7043
作者:
Zheng, Zeke[1]
;
Zeng, Yong[1]
;
Yao, Rihui[1]
;
Fang, Zhiqiang[1]
;
Zhang, Hongke[1]
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/03
High Conductivity and Adhesion of Cu-Cr-Zr Alloy for TFT Gate Electrode
期刊论文
APPLIED SCIENCES-BASEL, 2017, 卷号: 7
作者:
Peng, Junbiao[1]
;
Lu, Kuankuan[1]
;
Hu, Shiben[1]
;
Fang, Zhiqiang[1]
;
Ning, Honglong[1]
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/04/24
Cu-Cr-Zr alloy
conductivity
adhesion
thin-film transistor
gate electrode
Properties-Adjustable Alumina-Zirconia Nanolaminate Dielectric Fabricated by Spin-Coating
期刊论文
NANOMATERIALS, 2017, 卷号: 7
作者:
Peng, Junbiao[1]
;
Wei, Jinglin[2]
;
Zhu, Zhennan[3]
;
Ning, Honglong[4]
;
Cai, Wei[5]
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/04/24
properties-adjustable
Al2O3-ZrO2 nanolaminate dielectric
spin-coating
Island-Like AZO/Al2O3 Bilayer Channel Structure for Thin Film Transistors
期刊论文
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2017, 卷号: 4
作者:
Zeng, Yong[1]
;
Ning, Honglong[2]
;
Zheng, Zeke[3]
;
Zhang, Hongke[4]
;
Fang, Zhiqiang[5]
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/04/24
azo island films
bilayer channel structures
electron bridges
oxide thin film transistors
High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 879-882
作者:
Hu, Shiben[1]
;
Lu, Kuankuan[1]
;
Ning, Honglong[1]
;
Zheng, Zeke[1]
;
Zhang, Hongke[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/24
Aluminum oxide
copper
thin film transistors
All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process
期刊论文
2017, 卷号: 5, 期号: 28, 页码: 7043
作者:
Zheng, Zeke[1]
;
Zeng, Yong[1]
;
Yao, Rihui[1]
;
Fang, Zhiqiang[1]
;
Zhang, Hongke[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
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