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新疆理化技术研究所 [55]
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2021 [1]
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专题:新疆理化技术研究所
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碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较
期刊论文
原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774
作者:
冯皓楠1,2,3
;
杨圣1,2,3
;
梁晓雯1,2,3
;
张丹1,2,3
;
蒲晓娟1,2,3
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/05/06
碳化硅
总剂量效应
静态参数
动态特性
耗尽层
10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142
作者:
冯婕1,2
;
李豫东1,2
;
傅婧1,2,3
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:123/0
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提交时间:2022/03/07
时空数据
可视分析
网吧记录
共现群体
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
陈思远
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2020/11/19
氮化镓
辐射效应
单粒子
总剂量
可靠性
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
非贵金属电催化剂的设计及在电催化氧还原/析氧反应中的应用
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
乔孟飞
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/11/19
电化学催化
氧气还原反应
氧气析出反应
燃料电池
锌空气电池
22 nm体硅FinFET热载流子及总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2020, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 384-388
作者:
王保顺
;
崔江维
;
郑齐文
;
席善学
;
魏莹
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2020/11/17
鳍式场效应晶体管
热载流子注入效应
总剂量效应
CMOS图像传感器辐射损伤导致星敏感器性能退化机理
期刊论文
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 5, 页码: 101-107
作者:
冯婕
;
李豫东
;
文林
;
郭旗
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/06/23
星敏感器
CMOS图像传感器
辐射损伤
性能退化
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
席善学
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/07/15
总剂量效应
部分耗尽
浅槽隔离
模型
辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
王志铭
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/07/15
HgCdTe红外探测器
辐射效应
暗电流
总剂量效应
位移效应
深亚微米CMOS图像传感器像素单元累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
马林东
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/07/15
CMOS图像传感器
总剂量效应
位移效应
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