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The photoluminescence of SiCN thin films prepared by C+ implantation into alpha-SiNx:H 外文期刊
2010
作者:  Dong, LJ;  Zhang, GB;  Xu, PS;  Chen, DP
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Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊
2009
作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF
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A novel source/drain on void (SDOV) MOSFET implemented by local co-implantation of hydrogen and helium 外文期刊
2008
作者:  Wang, YY;  Chan, MZ;  Feng, CG;  Chen, BQ;  Tian, Y
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Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs 外文期刊
2007
作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Liu, HH;  Han, ZS;  Ye, TC
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26
Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension 外文期刊
2006
作者:  Xu, QX;  Duan, XF;  Qian, H;  Liu, HH;  Li, HO
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Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET 外文期刊
2005
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K
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Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation 外文期刊
2005
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Li, GH
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Oxides  
Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 外文期刊
2001
作者:  Chen, Y;  Ran, GZ;  Sun, YK;  Wang, YB;  Fu, JS
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The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊
2001
作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Yin, HX;  Jia, L;  Ji, HH
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New Ti-SALICIDE process using Sb and Ge preamorphization for sub-o.2 mu m CMOS technology 外文期刊
1998
作者:  Xu, QX;  Hu, CM
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