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科研机构
半导体研究所 [22]
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期刊论文 [19]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2007 [2]
2006 [2]
2005 [2]
2003 [2]
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学科主题
半导体物理 [22]
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共22条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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85
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95
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Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411
作者:
Li JB
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浏览/下载:72/34
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提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
ferromagnetic materials
magnetic moments
magnetic semiconductors
titanium compounds
vacancies (crystal)
The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:131/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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浏览/下载:51/1
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提交时间:2010/03/08
surface
Influence of deep level defects on electrical compensation in semi-insulating InP materials
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 1167-1171
Yang, J (Yang Jun)
;
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Wang, B (Wang Bo)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
InP
Thermally induced Fe atom transition from substitutional to interstitial sites in InP and its influence on material property
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
Zhao, YW (Zhao You-Wen)
;
Miao, SS (Miao Shan-Shan)
;
Dong, ZY (Dong Zhi-Yuan)
;
Lue, XH (Lue Xiao-Hong)
;
Deng, AH (Deng Ai-Hong)
;
Yang, J (Yang Jun)
;
Wang, B (Wang Bo)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
indium phosphide
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
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浏览/下载:223/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
Pulse Compression by Filamentation in Argon with an Acoustic Optical Programmable Dispersive Filter for Predispersion Compensation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1198-1200
Chen Xiaowei
;
Jiang Yongliang
;
Leng Yuxin
;
Liu Jun
;
Ge Xiaochun
;
Li Ruxin
;
Xu Zhizhan
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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浏览/下载:220/68
  |  
提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells with higher indium content grown by molecular-beam expitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 16, 页码: art.no.161911
Zhang SY
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Wu DH
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:105/35
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提交时间:2010/03/17
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
Structural and optical properties of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition
期刊论文
applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 20, 页码: 4149-4151
作者:
Jiang DS
;
Zhang YH
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浏览/下载:183/0
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提交时间:2010/08/12
1.3-MU-M VCSELS
GAAS
SUPERLATTICES
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