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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [16]
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发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [2]
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学科主题
半导体物理 [18]
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共18条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
First-principles LDA plus U and GGA plus U study of neptunium dioxide
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 4, 页码: art. no. 045119
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li WD (Li Weidong)
;
Zhang P (Zhang Ping)
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/04/13
GENERALIZED GRADIENT APPROXIMATION
STRUCTURAL STABILITY
OXIDES
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:69/1
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提交时间:2010/03/08
CARRIER RELAXATION
ENERGY RELAXATION
LINE-SHAPE
EMISSION
DENSITY
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Unusual carrier thermalization in a dilute GaAs1-xNx alloy
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.061905
作者:
Tan PH
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/29
PHOTOLUMINESCENCE
Extremely low density InAs quantum dots with no wetting layer
期刊论文
chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 1025-1028
Huang, SS (Huang She-Song)
;
Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Ni, HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Zhan, F (Zhan Feng)
;
Zhao, H (Zhao Huan)
;
Sun, Z (Sun Zheng)
;
Xia, JB (Xia Jian-Bai)
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/03/29
DROPLET EPITAXY
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:251/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
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