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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Mutual passivation of donors and isovalent nitrogen in GaAs 期刊论文 physical review letters, 2006, 卷号: 96, 期号: 3, 页码: art.no.035505 Li J; Carrier P; Wei SH; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/04/11 DILUTED GANXAS1-X ALLOYS  GROUP-IV DONORS  SEMICONDUCTOR ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES  BAND  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  HYDROGEN   Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide 期刊论文 journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 10, 页码: 5826-5827 Lin LY; Chen NF; Zhong XR; He HJ; Li CJ 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMIINSULATING GAAS  LEC-GAAS  DEFECTS  SEGREGATION  CARBON  BORON   IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2251-2255 ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 SILICON  IMPURITIES  DEFECT