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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2006 [1]
2003 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Far-field improvement of quantum cascade lasers through high-reflection coatings
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 127
作者:
Li L
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2011/07/05
OPERATION
TEMPERATURE
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
收藏
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浏览/下载:43/4
  |  
提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
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浏览/下载:61/12
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提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:230/30
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
BUFFER LAYER
THREADING DISLOCATIONS
TEMPERATURE
EVOLUTION
SURFACE
MOVPE
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
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浏览/下载:155/29
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提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
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