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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
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2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [2]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题：半导体材料
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Thermodynamic properties of Cu-3(CO3)(2)(OH)(2) and the spin-1/2 distorted diamond Heisenberg chain
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113907
Li, YC
收藏
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浏览/下载：48/2
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提交时间：2010/03/08
MATRIX RENORMALIZATION-GROUP
GROUND-STATE
AZURITE
FERRIMAGNET
CU3(OH)2(CO3)2
TEMPERATURE
Nanoinstabilities as revealed by shrinkage of nanocavities in silicon during irradiation
期刊论文
international journal of nanotechnology, 2006, 卷号: 3, 期号: 4 sp.iss.si, 页码: 492-516
Zhu, XF (Zhu, Xianfang)
;
Wang, ZG (Wang, Zhanguo)
收藏
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浏览/下载：60/0
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提交时间：2010/03/29
nanocavity
nanoparticle
nanoinstabilities
open volume defect
thermodynamic nonequilibrium
nanosize
nanotime
energetic beam irradiation
amorphous structure
nanocurvature
surface energy
WALLED CARBON NANOTUBES
AMORPHOUS-SILICON
ION IRRADIATION
PREFERENTIAL AMORPHIZATION
IN-SITU
INSTABILITY
BEAM
IMPLANTATION
CAVITIES
POINT
Nanocavity shrinkage and preferential amorphization during irradiation in silicon
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 657-660
Zhu XF
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载：36/0
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提交时间：2010/03/17
AMORPHOUS-SILICON
Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152
Lu DC
;
Duan SK
收藏
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浏览/下载：99/7
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提交时间：2010/08/12
computer simulation
molecular vapor phase epitaxy
nitrides
semiconducting quaternary alloys
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUATERNARY ALLOYS
PHASE EPITAXY
GAN
ALINGAN
Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy
会议论文
1st international symposium on microgravity research and applications in physical sciences and biotechnology, sorrento, italy, sep 10-15, 2000
Lu DC
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2010/10/29
TRANSPORT
Quasi-thermodynamic analysis of MOVPE of AlGaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 73-78
Lu DC
;
Duan S
收藏
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浏览/下载：45/0
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提交时间：2010/08/12
AlGaN
thermodynamic
MOVPE
aluminium content
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
NITRIDE
REGION
ALLOYS
Quasi-Thermodynamic Model of MOVPE of InAlN
期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 729
陆大成
;
段树坤
收藏
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2010/11/23
Quasi-Thermodynamic Model for MOVPE of AlGaN
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1026
陆大成
;
段树坤
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2010/11/23
GROWTH OF WIDE-BAND GAP IMMISCIBLE II-VI ALLOYS BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
期刊论文
journal of crystal growth, 1993, 卷号: 129, 期号: 0, 页码: 629-634
LU DC
收藏
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浏览/下载：31/0
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提交时间：2010/11/15
THERMODYNAMIC ANALYSIS
ZNSE
PRESSURE
SEMICONDUCTORS
MOVPE
OMVPE
GROWTH OF GASB AND GAASSB IN THE SINGLE-PHASE REGION BY MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 1992, 卷号: 124, 期号: 0, 页码: 383-388
LU DC
;
LIU XL
;
WANG D
;
LIN LY
收藏
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2010/11/15
GALLIUM ANTIMONIDE
OMVPE
GAAS1-XSBX
MOCVD
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