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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:  刘斌;  陈涌海
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2010/11/23
VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1775-1778
于会永; 赵有文; 占荣; 高永亮
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2010/11/23
铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1540-1543
作者:  张瑞
收藏  |  浏览/下载:66/0  |  提交时间:2010/11/23
用正电子研究原生ZnO单晶中的缺陷 期刊论文
武汉大学学报. 理学版, 2008, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 305-308
王柱; 柯君玉; 李辉; 庞锦标; 戴益群; 赵有文
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/11/23
磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响 期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5536-5541
作者:  王博
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/11/23
ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1759-1762
作者:  魏学成
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23
自组装半导体量子点的电子学性质研究进展 期刊论文
金属学报, 2005, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 463-470
作者:  金鹏
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纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2003, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 1-7
马宝珊; 方再利; 苏付海; 丁琨; 韩和相; 李国华; Mark lamy de la Chapelle; 范守善
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/11/23
稳定、优质nc-Si/a-Si:H薄膜的研制和特性分析 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1465-1468
徐艳月; 孔光临; 张世斌; 胡志华; 曾湘波; 刁宏伟; 廖显伯
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用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质 期刊论文
红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 417
丁琨; 李国华; 韩和相; 汪兆平
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2010/11/23


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