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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Real-time counting of single electron tunneling through a T-shaped double quantum dot system 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083720 Luo JY (Luo JunYan); Wang SK (Wang Shi-Kuan); He XL (He Xiao-Ling); Li XQ (Li Xin-Qi); Yan YJ (Yan YiJing) 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/12/05 STATISTICS  COHERENT  NOISE   Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped In2O3 Nanocrystals 期刊论文 journal of physical chemistry c, 2010, 卷号: 114, 期号: 41, 页码: 17569-17573 Meng XQ (Meng Xiuqing); Tang LM (Tang Liming); Li JB (Li Jingbo) 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/11/02 THIN-FILMS  QUANTUM DOTS  AB-INITIO  INDIUM  ZNO  SEMICONDUCTORS  ACTIVATION  OXIDATION  ELECTRON  ENERGY   Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：105/1  |  提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GAN NANOWIRES  NATIVE DEFECTS  COMPLEXES  EPITAXY  GROWTH  ARRAYS   First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions 期刊论文 computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：52/11  |  提交时间：2011/07/05 GaN nanowires  Electronic properties  First principles  GAN NANOWIRES  AB-INITIO  EMISSION PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  ARRAYS   Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文 acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22 Twinning  Nanotructures  Fracture  Buckling  Molecular dynamics  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC NANOWIRES  LOW-TEMPERATURE  THIN-FILMS  SIMULATION  ELASTICITY  NANOTUBES  POLYTYPES  GROWTH