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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2002 [3]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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发表日期:2002
专题:半导体研究所
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A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
Effect of rapid thermal annealing and hydrogen plasma treatment on the microstructure and light-emission of silicon-rich oxide film
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 7, 页码: 1564-1570
Wang YQ
;
Chen WD
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
silicon-rich silicon oxide
microstructure
light-emission
rapid thermal annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
POROUS SILICON
SI
LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
SPECTRA
SYSTEM
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
INTERDIFFUSION
TRANSITIONS
SPECTRA
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