难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层

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	难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层
	吴维(山文) ; 王卫林 ; 李铁藩
刊名	中国腐蚀与防护学报
	1981-12-31
期号	4 页码:16-27+78-79
关键词	二硅化物:6143 六角结构:3971 难熔金属:3432 合金:3184 防护层:2620 相组成:2485 增重:2012 点阵常数:1598 抛物线规律:1574 碘发生器:1560
中文摘要	在700—1050℃温度的流床中,W、Nb和Ta的硅化物层生长速率单调地随温度上升而增加。流床法获得的硅化物层与其它方法得到的相类似。 Mo及Mo—Ti、Mo—Ti—C和Mo—Ti—Zr—C合金的硅化行为则不同,在较低的温度区域内,它们的硅化物层生长速率出现反常高的峰值,该峰的出现伴随着形成一个在现有的二元Mo—Si系相图中没有报导过的新相组成的硅化产物。X-射线分析确定,该相具有典型的六角C_(40)型结构,点阵常数为:a=4.580,c=6.477,c/a=1.41。它是通常四角的MoSi_2相的一个不稳定的低温变体。硅化后经高温真空处理时,六角的MoSi_2迅速地和不可逆地转变为四角的MoSi_2。在出现反常高增重峰的温度下,Mo一0.5Ti合金硅化物层生长遵守直线规律,其硅化层主要为六角的MoSi_2。而纯Mo仅在硅化初期服从直线规律,而后过渡为抛物线规律,其硅化产物通常为六角的MoSi_2,随后转变为四角的MoSi_2。两种结构的硅化物层在高温时的氧化行为相同。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/29952]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴维(山文),王卫林,李铁藩. 难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层[J]. 中国腐蚀与防护学报,1981(4):16-27+78-79.
APA	吴维,王卫林,&李铁藩.(1981).难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层.中国腐蚀与防护学报(4),16-27+78-79.
MLA	吴维,et al."难熔金属及其合金低温流床硅化物防护层".中国腐蚀与防护学报 .4(1981):16-27+78-79.