金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用

	金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用
	李思渊; 李寿嵩; 张秀文; 孟益民; 柳南辉
刊名	兰州大学学报
	1980-12-30
期号	4 页码:40-50
关键词	结构缺陷:7868 硅离子:3619 Si界面:2923 非正常价态:2212 互作用:2121 氧离子空位:1404 悬空键:1327 界面效应:1298 正电荷:938 氧化反应:862
其他题名	金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用
中文摘要	本文讨论了SiO_2——Si体系中各种结构缺陷的起因与特征,并详细地分析了金与SiO_2——Si界面不规则中心的互作用机理。在给出金界面效应的唯象模型的基础上予言了硅片表面质量控制及消除界西局域态的新途径。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101641]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,李寿嵩,张秀文,等. 金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用[J]. 兰州大学学报,1980(4):40-50.
APA	李思渊,李寿嵩,张秀文,孟益民,&柳南辉.(1980).金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用.兰州大学学报(4),40-50.
MLA	李思渊,et al."金与SiO_2—Si界面处结构缺陷的互作用".兰州大学学报 .4(1980):40-50.